Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

Данько, В. А.; Індутний, І. З.; Михайловська, К. В.; Шепелявий, П. Є.


	Наукова періодика України		Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка

Данько В. А.
Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 83-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_10

Повний текст PDF - 449.273 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Данько В. А. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 83-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_10.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Шепелявий Петро Євгенович (технічні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача