Показано можливість формування графітових наноструктур на поверхні (0001) шаруватого напівпровідника InSe розпиленням у вакуумі. Монокристали InSe вирощувалися у кварцових ампулах за допомогою методу Вріджмена із розплаву нестехіометричного складу In1,03Se0,97. Вони мали кристалічну структуру <$Egamma>-політипу, n-тип провідності та концентрацією електронів ~ 10<^>15 см<^>-3 за кімнатної температури. Підкладки для осадження вуглецю розміром <$E4~times~4~times~0,2> мм виготовлялися механічним сколюванням вздовж шарів InSe. Осадження матеріалу проводилось за температур підкладки <$E300~-~400~symbol Р roman C> і за опромінення зони росту високоенергетичним ультрафіолетовим випромінюванням. Останнє генерувалося за допомогою галогенних ламп з кварцовою оболонкою. Додатково, для покращання формуванню зародків вуглецевих наноструктур, до підкладки прикладалася постійна електрична напруга. Вуглець розпилювався з електрода, який знаходився під позитивною напругою ~ 2800 В у вакуумі ~ 10<^>-4 Па протягом 50 хв. Одержані структури представляють собою протяжні наноутворення довжиною декілька мкм. Їх розташування задається дислокаційною сіткою поверхні InSe. Висота вуглецевих наноструктур не перевищує 100 нм. Це забезпечує їх прозорість в широкому спектральному діапазоні. Крім того, такі наноструктури мають високу електричну провідність, малий коефіцієнт заломлення світла (~ 1,5) в області спектральної чутливості InSe, а на інтерфейсі графіт/n-InSe може утворюватися гетероперехід. Вирощені вуглецеві наноструктури сприяють розповсюдженню падаючого на поверхню InSe світла в глибину кристалу. В раманівських спектрах присутні піки, що характерні для кристалів <$Egamma - roman InSe> та графіту. Вони вказують на відсутність хімічної взаємодії між осадженим матеріалом і підкладкою, деяку пластичну деформацію підкладки та наявність великої кількості структурних дефектів у вуглецевих наноутвореннях.

  Повний текст PDF - 422.11 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"