Розглянуто термостимульовану люмінесценцію (ТСЛ) та термостимульовану провідність (ТСП) нелегованих монокристалів <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>. Досліджувані зразки являли собою монокристали <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>, вирощені за допомогою методу оптичної зони плавки, які потім піддавали відпалу в атмосфері кисню або аргону. Одержані спектри фотолюмінесценції є типовими для монокристалів <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>: вони містять широку смугу випромінювання матриці за 320 - 550 нм, а також слабку люмінесценцію з максимумом за 700 нм, приписану ненавмисно введеній домішці Cr<^>3+. Після опромінення X-променями зразки демонструють інтенсивну ТСЛ в діапазоні температур 85 - 500 К. На кривих ТСЛ і ТСП цих кристалів наявні 3 низькотемпературні піки за 116, 147 і 165 К. Глибини пасток, що відповідають за ці піки, становлять 0,15, 0,2 і 0,3 еВ, відповідно. Високотемпературні піки ТСЛ за 354, 385 і 430 К з відповідними енергіями активації 0,84, 1,0 і 1,1 еВ спостерігаються у зразках, відпалених в атмосферах кисню або аргону. Криві ТСП добре узгоджуються з результатами дослідження ТСЛ. Встановлено кореляцію між відпалом кристалів в окиснювальній та інертній атмосферах і власними дефектами в монокристалах <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>.

  Повний текст PDF - 436.494 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"