Розроблено теорію самоузгодженого деформаційно-дифузійного перерозподілу точкових дефектів (міжвузлових атомів і вакансій) у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення. Ця теорія враховує дифузію дефектів у неоднорідно-деформованому полі (створеному як наявністю самих дефектів, так і градієнтом температури) та нелокальну взаємодію між дефектами та атомами матриці. Встановлено, що залежно від інтенсивності лазерного опромінення, температури підкладки та характерної відстані дії лазерного променя на поверхні напівпровідника чи в його глибині можуть формуватися самоорганізовані наноструктури точкових дефектів. Проведені теоретичні розрахунки добре узгоджуються з експериментальними даними інших наукових робіт.

  Повний текст PDF - 441.073 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"