Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Пелещак Р. М. Просторовий перерозподіл міжвузлових атомів та вакансій у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення / Р. М. Пелещак, О. В. Кузик, О. О. Даньків // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03018-1-03018-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_20 Розроблено теорію самоузгодженого деформаційно-дифузійного перерозподілу точкових дефектів (міжвузлових атомів і вакансій) у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення. Ця теорія враховує дифузію дефектів у неоднорідно-деформованому полі (створеному як наявністю самих дефектів, так і градієнтом температури) та нелокальну взаємодію між дефектами та атомами матриці. Встановлено, що залежно від інтенсивності лазерного опромінення, температури підкладки та характерної відстані дії лазерного променя на поверхні напівпровідника чи в його глибині можуть формуватися самоорганізовані наноструктури точкових дефектів. Проведені теоретичні розрахунки добре узгоджуються з експериментальними даними інших наукових робіт. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Пелещак Р. М. Просторовий перерозподіл міжвузлових атомів та вакансій у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення / Р. М. Пелещак, О. В. Кузик, О. О. Даньків // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03018-1-03018-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_20.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |