Описано особливості вирощування тонких плівок Ti - Zr - Ni за допомогою методу магнетронного розпилення мішеней складу Ti53Zr30Ni18 та Ti41Zr38,3Ni20,7 на підкладки за T = 300 К з наступним відпалом у вакуумі. Вивчено особливості формування фазового складу, структури та термічної стабільності тонких плівок квазікристалів. Встановлено, що плівки у вихідному стані є рентгеноаморфними, або нанокристалічними з розміром областей розсіювання згідно Шерреру близько 1,6 - 1,8 нм незалежно від елементного складу мішені, яка розпилювалась. Ця структура є відносно стабільною до температури 673 K, за якої починається формування квазікристалічної фази. У плівках складу Ti53Zr30Ni18 найбільша кількість квазікристалічної фази, яка характеризується параметром квазікристалічності aq = 0,517 нм, спостерігається за температури відпалу 673 K. Вона доповнюється домішкою W-фази кристала-апроксиманта 1/1. В плівках складу Ti41Zr38,3Ni20,7 оптимальна температура відпалу знаходиться між 823 та 873 K. Квазікристалічна фаза характеризується параметром квазікристалічності aq = 0,5205 нм. Крім того, вперше одержано дані про формування 2/1 кристалічного апроксиманту як фази домішки. За відпалу за температур понад 873 K встановлено розпад фаз квазікристала та апроксиманта на стабільні за високих температур кристалічні фази згідно з діаграмою рівноваги.

  Повний текст PDF - 325.112 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"