Розвиток міліметрового і терагерцового діапазонів хвиль є одним з головних завдань сучасних високочастотних електронних приладів. Проте, немає активних елементів, які можуть працювати в цих діапазонах. Пристрої з переносом електронів (ППЕ) все ще залишаються більш поширеними компактними джерелами електромагнітних хвиль. Але ефективність коливань ППЕ, що працюють у субміліметровому діапазоні хвиль, невелика, і в більшості випадків генерація стає неможливою. Труднощі одержання максимальних частот в основному визначаються часом переходу електрона від верхньої долини до нижньої. Мета роботи - дослідження зменшення часу переходу електрона шляхом використання міжзонної ударної іонізації. Розглянуто перенесення заряду в діодах зі змінною шириною забороненої зони на основі In1-zGazAs з довжиною активної області 0,64 мкм. Концентрація домішки в активній області n-типу становила <$E10 sup 16 ~-~8~cdot~10 sup 16> см<^>-3. Метод Монте-Карло для моделювання поведінки ансамблю частинок застосовується для опису динаміки носіїв заряду в пристрої. При цьому враховуються триполосні зони провідності і смуги важких отворів <$EGAMMA sub roman IV>. Показано можливість використання локалізованої ударної іонізації як механізму енергетичної релаксації. Продемонстровано взаємозв'язок між кількістю актів ударної іонізації та зменшенням кількості електронів у верхніх долинах. Розраховано ефективність коливань діодів. Показано, що ударна іонізація може призвести до збільшення максимальної частоти генерації. Запропонований спосіб удосконалення частотних властивостей за рахунок модифікації транспорту електронів поблизу анодного контакту може бути застосований до коротких структур і надає змогу одержати максимальні частоти генерації.

  Повний текст PDF - 548.12 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"