Magnetoresistance and Anomalous Hall Effect of InSb Doped with Mn

Kochura, A. V.; Aronzon, B. A.; Alam, M.; Lashkul, A.; Marenkin, S. F.; Shakhov, M. A.; Kochura, E. P.; Lahderanta, E.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Kochura A. V.
Magnetoresistance and Anomalous Hall Effect of InSb Doped with Mn / A. V. Kochura, B. A. Aronzon, M. Alam, A. Lashkul, S. F. Marenkin, M. A. Shakhov, E. P. Kochura, E. Lahderanta // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 4(1). - С. 04015-1-04015-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_4%281%29__17

Transport properties of polycrystalline (In, Mn)Sb samples are investigated. Behavior of the temperature and magnetic field dependencies of the resistivity, anomalous Hall coefficient and magnetoresistivity at low temperatures points out the influence of Mn complexes, Mn ions and nano- and microsizes MnSb precipitates on charge transport.

Повний текст PDF - 609.775 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Kochura A. V. Magnetoresistance and Anomalous Hall Effect of InSb Doped with Mn / A. V. Kochura, B. A. Aronzon, M. Alam, A. Lashkul, S. F. Marenkin, M. A. Shakhov, E. P. Kochura, E. Lahderanta // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 4(1). - С. 04015-1-04015-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_4(1)__17.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача