Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Modi B. P. 
Phase Transition Sensitive Schottky Barriers In Ga-Si(P) Contacts / B. P. Modi, J. M. Dhimmar, K. D. Patel // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02005-1-02005-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_7
Investigation and understanding of Schottky diodes continue to be interesting both for basic as well as technological points of view. Even now the evolutionary aspects of such contacts are not very clearly understood. In this paper it is shown that in respect of interfacial strain contribution to the barrier heights of such contacts semiconductor-liquid metal contacts are relatively better placed than solid semiconductor-solid metal contacts. Results on Ga-Si(p) contact are discussed in this paper to show phase sensitive contribution to the barrier height of such Schottky contacts.
  Повний текст PDF - 156.115 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Modi B.
  • Dhimmar J.
  • Patel K.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Modi B. P. Phase Transition Sensitive Schottky Barriers In Ga-Si(P) Contacts / B. P. Modi, J. M. Dhimmar, K. D. Patel // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02005-1-02005-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_7.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського