Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Krishnan N. H. 
Control of Switching Characteristics of Silicon-based Semiconductor Diode Using High Energy Linear Accelerator / N. H. Krishnan, V. K. Yadav, N. Anandarao, K. N. Jayaraman, S. Govindaraj, G. Sanjeev, K. C. Mittal // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02004-1-02004-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_6
  Повний текст PDF - 402.049 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Krishnan N.
  • Yadav V.
  • Anandarao N.
  • Jayaraman K.
  • Govindaraj S.
  • Sanjeev G.
  • Mittal K.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Krishnan N. H. Control of Switching Characteristics of Silicon-based Semiconductor Diode Using High Energy Linear Accelerator / N. H. Krishnan, V. K. Yadav, N. Anandarao, K. N. Jayaraman, S. Govindaraj, G. Sanjeev, K. C. Mittal // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 2. - С. 02004-1-02004-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_2_6.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського