Розглянуто питання створення вбудованих латеральних p-n переходів у листі чорного фосфорену (ЛЧФ) з використанням адсорбованих органічних молекул як легуючих домішок. У межах методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів одержано просторові розподіли густини валентних електронів, густини електронних станів, заборонені зони та заряди на атомних остовах у ЛЧФ. Спостережено однорідний розподіл густини валентних електронів у ЛЧФ. Адсорбція молекул карбаміду для різноманітних типів локалізації на поверхні ЛЧФ призвела до перерозподілу електронної густини в ньому. Області заряду більшої густини в ЛЧФ з адсорбованими молекулами карбаміду локалізувалися під атомами молекул карбаміду, утворюючи загальну область підвищеної концентрації електронної густини. Віддалення молекул призвело до зменшення їх впливу на перерозподіл густини валентних електронів у ЛЧФ. Нагромадження електричного заряду в ЛЧФ на ділянках під молекулами карбаміду в свою чергу спричинило виникнення областей у ЛЧФ, в яких заряди на атомних остовах змінювали знак на протилежний. Однорідність розподілу електронної густини в ЛЧФ зникла і утворилися ділянки просторового заряду різного знаку. Такі області з зарядами різних знаків створюють умови, які є основною характеристикою p-n-переходів. Також було встановлено, що адсорбція в ЛЧФ молекулами карбаміду призвела до зміни провідності ЛЧФ.

  Повний текст PDF - 443.965 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"