Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Plyushchay I. V. 
Ab Initio Modeling of Boron Impurities Influence on the Electronic and Atomic Structure of Titanium Carbide / I. V. Plyushchay, T. V. Gorkavenko, O. I. Plyushchay // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 4. - С. 04034-1-04034-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_4_36
Проведено першопринципний розрахунок виливу домішок бору на електронну й атомну структуру карбіду титану. Розрахунок проведено за методом функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні за допомогою пакету програм ABINIT. Надкомірка карбіду титану складалася з 24 атомів. Розраховано повну енергію надкомірки карбіду титану з домішковим бором з різною кількістю та розташуванням домішкових атомів. В результаті проведених досліджень було встановлено, що домішкові атоми бору в карбіді титану не виявляють схильності до кластеризації. Обговорено зміни атомної структури карбіду титану за наявності домішок бору в міжвузловому положенні та у стані заміщення. Розраховано та проаналізовано рівноважні відстані між сусідніми площинами карбіду титану з домішками бору в положеннях заміщення та занурення. Нагромадження атомів бору на площинах (111) карбіду титану призводить до збільшення відстані між сусідніми шарами атомів титану. Наведено електронну структуру карбіду титану, диборйду титану та надкомірки карбіду титану з різним числом та розташуванням домішок бору. Характерною особливістю спектрів надкомірки карбіду титану з домішковими атомами бору є наявність домішкової підзоли, яка розташована між локальними електронними спектрами 2s і 2p вуглецевих станів приблизно на 0,24 Хартрі нижче рівня Фермі. Також спостерігається незначне збільшення густини електронних станів безпосередньо під рівнем Фермі. Різне розташування домішкових атомів бору впливає тільки на форму та напівширину домішкової підзони, а саме: напівширина домішкової підзони збільшується у разі збільшення кількості домішкових атомів у першій координаційній сфері неметалевих атомів навколо домішки.
  Повний текст PDF - 315.236 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Plyushchay I.
  • Gorkavenko T.
  • Plyushchay O.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Plyushchay I. V. Ab Initio Modeling of Boron Impurities Influence on the Electronic and Atomic Structure of Titanium Carbide / I. V. Plyushchay, T. V. Gorkavenko, O. I. Plyushchay // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 4. - С. 04034-1-04034-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_4_36.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського