Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Pavlyuk S. P. 
Nonlinearity of Diffusion Resistors at High-density Current / S. P. Pavlyuk, V. I. Grygoruk, M. V. Petrychuk, V. M. Telega, S. А. Vitusevich // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 4. - С. 04032-1-04032-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_4_34
Наведено результати експериментального дослідження залежності опору дифузійних резисторів (ДР) від струму, виготовлених за технологією "кремній з діелектричною ізоляцією", з різними геометричними характеристиками, зокрема, довжиною та товщиною, за густини струму до 10<^>5 А/см<^>2. Проведено аналіз одержаних результатів і визначено 3 області на кривих залежності опору резистора від струму R(I). Перша область - омічна ділянка, на якій значення опору дифузійного резистора лінійно залежить від струму. Друга область кривої R(I) характеризується наявністю сильної нелінійності та стрибками і різким збільшенням опору ДР, що пов'язано із виникненням області високого електричного поля в ДР. Третя область залежності R(I) характеризується зменшенням величини опору від струму. Чим товщим є ДР, тим менше пікове значення опору. Показано, що зміна довжини і зменшення товщини дифузійних резисторів призводять до зміни протяжності лінійної ділянки залежності R(I). Чим менша довжина, тим менший опір зразка і тим довша ділянка сталого диференційного опору. Із залежності диференціального опору від струму визначено області лінійності опору дифузійного резистора. Область лінійності опору була визначена як область, де зміна диференціального опору не перевищувала 10 % від його значення за малого електричного поля: найбільша область лінійності резистора має місце у зразку довжиною 2,4 мкм та товщиною 8,4 мкм. Виявлені особливості поведінки опору дифузійного резистора пояснюються зміною його фізичних характеристик в результаті значного самонагрівання.
  Повний текст PDF - 351.855 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Pavlyuk S.
  • Grygoruk V.
  • Petrychuk M.
  • Telega V.
  • Vitusevich S.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Pavlyuk S. P. Nonlinearity of Diffusion Resistors at High-density Current / S. P. Pavlyuk, V. I. Grygoruk, M. V. Petrychuk, V. M. Telega, S. А. Vitusevich // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 4. - С. 04032-1-04032-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_4_34.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського