Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Zaitsev R. V. Operating Temperature Effect on the Thin Film Solar Cell Efficiency / R. V. Zaitsev, M. V. Kirichenko, G. S. Khrypunov, S. A. Radoguz, M. G. Khrypunov, D. S. Prokopenko, L. V. Zaitseva // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 4. - С. 04029-1-04029-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_4_31 Розглянуто результати дослідження залежності ефективності плівкових фотоелектричних перетворювачів від їх робочої температури та проведено їх порівняння. Здійснено аналіз фізичних механізмів впливу температури на вихідні, діодні та електронні параметри фотоелектричних перетворювачів. Визначення вихідних параметрів гнучких фотоелектричних перетворювачів здійснювалося за допомогою вимірювання світлових вольтамперних характеристик за допомогою освітлювача на основі потужних напівпровідникових світлодіодів різного кольору для імітаційного випромінювання, характерного для стандартного наземного спектра сонячного світла. Для забезпечення ефективного неруйнівного контакту випробувальних зразків гнучких елементів на основі телуриду кадмію до кола вимірювання розроблено і використано спеціальний контактний пристрій. Головною особливістю контактного пристрою є 4 роздільних вертикально рухомих металевих зонда у вигляді напівсфер з полірованими поверхнями, що унеможливлює проколювання плівкових електродів. Дані зонди мають можливість індивідуального позиціонування кожного зонда, що здійснюється за допомогою твердої поворотної консолі змінної довжини, прикріпленої до корпусу. Одержано коефіцієнти зниження ефективності від робочої температури фотоелектричного перетворювача, що складають для пристроїв на основі CdTe - 0,14 %/C, для CuInSe Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Zaitsev R. V. Operating Temperature Effect on the Thin Film Solar Cell Efficiency / R. V. Zaitsev, M. V. Kirichenko, G. S. Khrypunov, S. A. Radoguz, M. G. Khrypunov, D. S. Prokopenko, L. V. Zaitseva // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 4. - С. 04029-1-04029-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_4_31.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |