Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Zaitsev R. V. 
Operating Temperature Effect on the Thin Film Solar Cell Efficiency / R. V. Zaitsev, M. V. Kirichenko, G. S. Khrypunov, S. A. Radoguz, M. G. Khrypunov, D. S. Prokopenko, L. V. Zaitseva // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 4. - С. 04029-1-04029-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_4_31
Розглянуто результати дослідження залежності ефективності плівкових фотоелектричних перетворювачів від їх робочої температури та проведено їх порівняння. Здійснено аналіз фізичних механізмів впливу температури на вихідні, діодні та електронні параметри фотоелектричних перетворювачів. Визначення вихідних параметрів гнучких фотоелектричних перетворювачів здійснювалося за допомогою вимірювання світлових вольтамперних характеристик за допомогою освітлювача на основі потужних напівпровідникових світлодіодів різного кольору для імітаційного випромінювання, характерного для стандартного наземного спектра сонячного світла. Для забезпечення ефективного неруйнівного контакту випробувальних зразків гнучких елементів на основі телуриду кадмію до кола вимірювання розроблено і використано спеціальний контактний пристрій. Головною особливістю контактного пристрою є 4 роздільних вертикально рухомих металевих зонда у вигляді напівсфер з полірованими поверхнями, що унеможливлює проколювання плівкових електродів. Дані зонди мають можливість індивідуального позиціонування кожного зонда, що здійснюється за допомогою твердої поворотної консолі змінної довжини, прикріпленої до корпусу. Одержано коефіцієнти зниження ефективності від робочої температури фотоелектричного перетворювача, що складають для пристроїв на основі CdTe - 0,14 %/C, для CuInSe2 - 0,36 %/C, для аморфного кремнію - 0,21 %/C. Аналітична обробка й аналіз впливу світлових діодних характеристик на ефективність приладів на основі CdTe показали, що температурна стабільність їх ефективності забезпечується стабільністю густини діодного струму насичення, величина якого збільшується на 50 % з <$E1,9~cdot~10 sup -9> А до <$E2,7~cdot~10 sup -9> А з підвищенням температури від <$E20~symbol Р roman C> до <$E50~symbol Р roman C>. В той же час для приладів на основі CuInSe2 та аморфного кремнію встановлено, що основну роль у зниженні ефективності за підвищенні температури має зменшення густини струму короткого замикання, напруги холостого ходу та коефіцієнта заповнення вольтамперних характеристик.
  Повний текст PDF - 463.185 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Zaitsev R.
  • Kirichenko M.
  • Khrypunov G.
  • Radoguz S.
  • Khrypunov M.
  • Prokopenko D.
  • Zaitseva L.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Zaitsev R. V. Operating Temperature Effect on the Thin Film Solar Cell Efficiency / R. V. Zaitsev, M. V. Kirichenko, G. S. Khrypunov, S. A. Radoguz, M. G. Khrypunov, D. S. Prokopenko, L. V. Zaitseva // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 4. - С. 04029-1-04029-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_4_31.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Хрипунов Геннадій Семенович (1963–) (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського