Оновлення високоенергетичних фізичних експериментів на великому адронному коллайдері (LHC) у ЦЕРНі вимагатиме застосування нових випромінювальних технологій у наступних поколіннях пристроїв стеження, які будуть необхідні для витримування надзвичайно високих доз опромінення. Пленарні ніксельні датчики n-on-p є перспективними кандидатами і мають бути реалізовані у майбутньому піксельному детекторі ATLAS. Наведено порівняльне дослідження двох різних конструкцій багатозахисних структур до і після опромінення. Обидві структури засновані на технології підкладки p-типу з та без стопорної ізоляції між імилантами. Більш того, одна структура має захисні кільця p-типу, в той час як інша - n-типу. Для вивчення електричних характеристик конструкцій змінювалися різні технологічні параметри, такі як товщина і легування кремнієвої підкладки, глибина і легування захисних кілець, та товщина діоксиду кремнію. Ефективність багатозахисних кільцевих структур оцінюється за допомогою моделювання TCAD до флюенсу випромінювання <$E1~times~10 sup +16 ~n sub cq>/см<^>2 з використанням існуючої моделі об'ємного радіаційного пошкодження p-типу на основі так званої "Perugia tri level traps model", де опромінення генерує два акцепторных рівня, розташованих трохи вище середньої забороненої зони, і один донорний рівень, розташований трохи нижче середини забороненої зони. Розглянуто збільшення кількості оксидного заряду з ростом дози опромінення. Для високоякісного шару SiO2 початкова щільність заряду на інтерфейсному шарі встановлювалася рівною <$E5~times~10 sup +10> cm<^>-2 для неопроміненого детектора, тоді як дія сильно опроміненої структури значення щільності заряду може сягати <$E1~times~10 sup +12> cm<^>-2. Вони моделювалися на високоомних кремнієвих пластинах з використанням програмного забезпечення Silvaco Virtual Wafer Fab (VWF).

  Повний текст PDF - 421.028 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"