Моделювання температурної залежності НВЧ магнітоноглинання в електронних напівпровідниках проводиться за допомогою функції Гауса і похідної функції Фермі - Дірака. Функція розподілу Гауса і похідна функції Фермі - Дірака за енергією порівнюються за різних температур. Показано, що розподіл функції Гауса набагато ефективніший і швидше прямує до ідеальної <$Edelta> функції Дірака, ніж похідна функції Фермі - Дірака за енергією. Розраховано температурну залежність спектральної щільності станів у напівпровідниках за квантування магнітних полів. Одержано аналітичний вираз для густини станів у квантованому магнітному полі для вузькозонних напівпровідників. Побудовано графіки температурної залежності щільності станів для InAs від магнітного поля. Розглянуто коливання поглинання НВЧ-винромінювання у напівпровідниках за різних температур. Створено нову математичну модель для поглинання НВЧ коливань у вузькосмугових напівпровідниках. Використовуючи цю модель, розраховано залежність квантових коливань від поглинання мікрохвиль і температури електронного газу. Для InAs одержано графіки коливань похідної поглиненої потужності від напруженості магнітного поля. Тривимірне зображення поглинання мікрохвильового випромінювання для напівпровідників було побудовано за допомогою закону дисперсії Кена. У вузькозонних електронних напівпровідниках за різних температур з використанням функції Гауса розраховували НВЧ магнітопоглинання. Формулу для залежності НВЧ-магнітоадсорбційних коливань від напруженості електричного поля електромагнітної хвилі та температури одержано за допомогою параболічного та дисперсійного законів Кена. Результати розрахунків порівняно з експериментальними даними. Запропонована модель пояснює результати експерименту в HgSe за різних температур.

  Повний текст PDF - 384.884 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"