Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Nepijko S. A. Investigation of Nanostructure Phase Composition and Field Emission Properties in the Ge/Si(100) System / S. A. Nepijko, A. A. Sapozhnik, A. G. Naumovets, Yu. N. Kozyrev, M. Klimenkov, S. I. Protsenko, L. V. Odnodvorets, I. Yu. Protsenko // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(2). - С. 04067-1-04067-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4%282%29__18 We analyzed the Ge/Si(100) phase composition based on existing literature data and results obtained with high-resolution electron microscopy method. The research confirms formation of solid solutions Ge(Si) in the Ge film and the Si(Ge) in the Si (100) substrate, which are separated by a thin pseudomorphic layer. This conclusion can correctly interpret the phase composition of the heterostructure based on Ge and Si. An array of tips developing on the interface with the tip density of the order 10<^>14 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Nepijko S. A. Investigation of Nanostructure Phase Composition and Field Emission Properties in the Ge/Si(100) System / S. A. Nepijko, A. A. Sapozhnik, A. G. Naumovets, Yu. N. Kozyrev, M. Klimenkov, S. I. Protsenko, L. V. Odnodvorets, I. Yu. Protsenko // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(2). - С. 04067-1-04067-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(2)__18.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |