Проведено аналіз температурної залежності (T = 80 - 360 К) електрофізичних властивостей кристалів Cd1-xZnxTe, Cd1-yMnyTe та Cd1-x-yZnxMnyTe (<$Ex,~y~symbol Г~0,1>), вирощених за вертикальним методом Бріджмена. Встановлено, що в кристалах Cd1-xZnxTe провідність контролюється як акцепторами <$EA sub 1 ( epsilon sub A sup 0 ~=~0,03~-~0,05> еВ), так і акцепторами <$EA sub 2 ( epsilon sub A sup 0 ~symbol Ы~0,12> еВ), енергія іонізації яких не залежить від складу, а в кристалах Cd1-yMnyTe і Cd1-x-yZnxMnyTe лише акцепторами A2, при цьому залежність <$Eepsilon sub A2 (y)> описується рівнянням: <$Eepsilon sub A2 ~=~0,12(1~+~5,5y)>, еВ.Проведено аналіз температурної залежності (T = 80 - 360 К) електрофізичних властивостей кристалів Cd1-xZnxTe, Cd1-yMnyTe та Cd1-x-yZnxMnyTe (<$Ex,~y~symbol Г~0,1>), вирощених за вертикальним методом Бріджмена. Встановлено, що в кристалах Cd1-xZnxTe провідність контролюється як акцепторами <$EA sub 1 ( epsilon sub A sup 0 ~=~0,03~-~0,05> еВ), так і акцепторами <$EA sub 2 ( epsilon sub A sup 0 ~symbol Ы~0,12> еВ), енергія іонізації яких не залежить від складу, а в кристалах Cd1-yMnyTe і Cd1-x-yZnxMnyTe лише акцепторами A2, при цьому залежність <$Eepsilon sub A2 (y)> описується рівнянням: <$Eepsilon sub A2 ~=~0,12(1~+~5,5y)>, еВ.

  Повний текст PDF - 422.778 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"