| Наукова періодика України |
| Journal of Nano- and Electronic Physics |
Rybalko P. D. Femtosecond Laser Crystallization of Boron-doped Amorphous Hydrogenated Silicon Films / P. D. Rybalko, M. V. Khenkin, P. A. Forsh, R. Drevinskas, A. N. Matsukatova, P. Kazansky, A. G. Kazanskii // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 3. - С. 03038-1-03038-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_3_40 Crystallization of amorphous hydrogenated silicon films with femtosecond laser pulses is one of the promising ways to produce nanocrystalline silicon for photovoltaics. The structure of laser treated films is the most important factor determining materials' electric and photoelectric properties. In this work we investigated the effect of femtosecond laser irradiation of boron doped amorphous hydrogenated silicon films with different fluences on crystalline volume fraction and electrical properties of this material. A sharp increase of conductivity and essential decrease of activation energy of conductivity temperature dependences accompany the crystallization process. The results obtained are explained by increase of boron doping efficiency in crystalline phase of modified silicon film. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Rybalko P. D. Femtosecond Laser Crystallization of Boron-doped Amorphous Hydrogenated Silicon Films / P. D. Rybalko, M. V. Khenkin, P. A. Forsh, R. Drevinskas, A. N. Matsukatova, P. Kazansky, A. G. Kazanskii // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 3. - С. 03038-1-03038-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_3_40. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
