Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3

Катеринчук, В. М.; Ковалюк, З. Д.; Кушнір, Б. В.; Литвин, О. С.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Катеринчук В. М.
Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3 / В. М. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, Б. В. Кушнір, О. С. Литвин // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 3. - С. 03032-1-03032-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_3_34

За допомогою методу термічного окиснення напівпровідникової підкладки створено новий гетероперехід власний оксид - p-In₄Se₃. На основі аналізу електричних і фотоелектричних характеристик гетеропереходу побудовано його якісну зонну діаграму. Особливістю даного гетеропереходу є механізм протікання струму через бар'єр, який визначається не дифузією носіїв, а термоелектронною емісією. Наведено також АСМ-зображення поверхні оксидного шару та спектр фоточутливості досліджуваного гетеропереходу.

Повний текст PDF - 502.555 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Катеринчук В. М. Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3 / В. М. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, Б. В. Кушнір, О. С. Литвин // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 3. - С. 03032-1-03032-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_3_34.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Катеринчук Валерій Миколайович (фізико-математичні науки)

Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)

Литвин Оксана Степанівна (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача