The article compares earner mobility in monocrystals, as well as monocrystal and block films of different width thus defining carrier contnbution to interaction with phonons, surface, boundanes and structural defects of crystallites in bismuth films doped with tellurium. It is determined that there is a linear dependence of inverse electron mobility on inverse width of bismuth film doped with tellurium.

  Повний текст PDF - 461.825 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"