Perspective Method of Betavoltaic Converter Creation

Rudenko, K. V.; Miakonkih, A. V.; Rogojin, A. E.; Bogdanov, S. V.; Lelekov, E. T.; Sidorov, V. G. Zelenkov P. V.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Rudenko K. V.
Perspective Method of Betavoltaic Converter Creation / K. V. Rudenko, A. V. Miakonkih, A. E. Rogojin, S. V. Bogdanov, E. T. Lelekov, V. G. Zelenkov P. V. Sidorov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02022-1-02022-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_24

Some results on planar diode structure creation by the method of a plasma-immersion ion implantation is presented in this paper. Obtained leakage current ~ 1 uA/cm² at reverse voltage - 1 V. The cryogenic plasmochemical silicon etching process is developed, able to form the structured silicon layer with system of deep holes with high aspect ratio.

Повний текст PDF - 377.67 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Rudenko K. V. Perspective Method of Betavoltaic Converter Creation / K. V. Rudenko, A. V. Miakonkih, A. E. Rogojin, S. V. Bogdanov, E. T. Lelekov, V. G. Zelenkov P. V. Sidorov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02022-1-02022-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_24.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача