Досліджено вплив гідростатичного тиску на електропровідність дрібнокристалічного графіту в інтервалі температур (77 - 293) К. Показано, що зменшення питомого електроопору в зразках дрібнокристалічного анізотропного графіту за дії гідростатичного тиску пов'язано зі збільшенням перекриття між валентною зоною та зоною провідності, що призводить до зростання концентрації вільних носіїв заряду. Оцінено зміну перекриття валентної зони і зони провідності. Встановлено, що зменшення відстані між шарами графіту за дії тиску є процесом незворотнім: у разі зняття навантаження електроопір дещо зростає, але не набуває початкового значення.

  Повний текст PDF - 427.704 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"