Simulation of Hetero-junction (GaInP/GaAs) Solar Cell Using AMPS-1D

Benmoussa, D.; Boukais, M.; Benslimane, H.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Benmoussa D.
Simulation of Hetero-junction (GaInP/GaAs) Solar Cell Using AMPS-1D / D. Benmoussa, M. Boukais, H. Benslimane // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 1. - С. 01009-1-01009-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_1_11

Photovoltaic conversion is the direct conversion of electromagnetic energy into electrical energy continuously. Thus electromagnetic energy is the most solar radiation. In this work we performed a computer modelling using AMPS ID optimization of hetero-junction solar cells GalnP/GaAs configuration for p/n. We studied the influence of the thickness the base layer in the cell offers on the open circuit voltage, the short circuit current and efficiency.

Повний текст PDF - 170.036 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Benmoussa D.

Boukais M.

Benslimane H.

Бібліографічний опис для цитування:

Benmoussa D. Simulation of Hetero-junction (GaInP/GaAs) Solar Cell Using AMPS-1D / D. Benmoussa, M. Boukais, H. Benslimane // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 1. - С. 01009-1-01009-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_1_11.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача