Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Ivanov O.N. 
Hopping Conductivity and Negative Magnetoresistance of the Bulk Nanograined Bi2Te3 Material / O.N. Ivanov, R.A. Lyubushkin, M.N. Yaprintsev, I.V. Sudzhanskaya // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04073-1-04073-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_75
The bulk nanograined Bi2Te3 material was prepared by the microwave assisted solvothermal method and cold isostatic pressure method. It was found that above T ≈ 190 K the temperature dependence of the specific electrical resistivity of material is of metallic type, while below this temperature a semiconductor conductivity takes place. Within the temperature ΔT ≈ 90 - 35 K interval the electrical conductivity of material can be described by the variable-range hopping conductivity mechanism. Negative magnetoresistance was observed at the same temperature interval.
  Повний текст PDF - 575.214 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ivanov O.
  • Lyubushkin R.
  • Yaprintsev M.
  • Sudzhanskaya I.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Ivanov O.N. Hopping Conductivity and Negative Magnetoresistance of the Bulk Nanograined Bi2Te3 Material / O.N. Ivanov, R.A. Lyubushkin, M.N. Yaprintsev, I.V. Sudzhanskaya // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04073-1-04073-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_75.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського