Heterostructure Active Area Optimization by Simulation

Rabinovich, O. I.; Didenko, S. I.; Legotin, S. A.; Fedorchenko, I. V.; Osipov, U. V.

Rabinovich O. I.
Heterostructure Active Area Optimization by Simulation / O. I. Rabinovich, S. I. Didenko, S. A. Legotin, I. V. Fedorchenko, U. V. Osipov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04035-1-04035-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_37

Changing LED performance characteristics, depending on Indium atoms concentration and at different temperatures were simulated. It was suggested that a LED having p - n junction area S₀ can be considered as a sum of "SmallLEDs (SLEDs)" electrically connected in parallel, each SLED has its own In-content and its own p-n junction area S(X). Good correlation in simulation and experimental results has been obtained. It was determined that the best structure for AlGaInN NH is p⁺GaN/p⁺Al_0,2Ga_0,8N/4(n-In_xGa_1-xN-nGaN)/ n⁺GaN. The main thing is that in the NH AA there are 4QW-in two central ones there is maximum radiation and two ones at the both ends of active region are іbarriersі which help to concentrate electrons/holes in active region and additionally іprotectі QW from different defects.

Повний текст PDF - 309.505 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Rabinovich O. I. Heterostructure Active Area Optimization by Simulation / O. I. Rabinovich, S. I. Didenko, S. A. Legotin, I. V. Fedorchenko, U. V. Osipov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04035-1-04035-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_37.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics