Описано дослідження дислокаційної електролюмінесценції монокристалів кремнію p-типу з високою концентрацією дислокацій на поверхні (111). З'ясовано впливи високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню на спектри люмінесценції та ємнісно-модуляційні спектри зразків. З аналізу результатів встановлено природу центрів рекомбінації та їх перебудову за високотемпературного відпалу. Показано, що осадження плівки Al на підкладку p-Si призводить до формування деформаційного потенціалу і, як наслідок, локалізації у приповерхневому шарі дефектів з об'єму кристалу, що відповідають центрам свічення.

  Повний текст PDF - 557.93 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"