Синтез епітаксіальних шарів нітриду індію на підкладці поруватого фосфіду індію

Сичікова, Я. О.


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Сичікова Я. О.
Синтез епітаксіальних шарів нітриду індію на підкладці поруватого фосфіду індію / Я. О. Сичікова // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 3. - С. 03017-1-03017-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_3_19

Наведено методику одержання плівки InN на поруватих підкладках InP за допомогою методу радикало-променевої гетеруючої епітаксії. За результатами оже-спектроскопії товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм залежно від технологічних умов травлення.

Повний текст PDF - 290.809 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Сичікова Я.

Бібліографічний опис для цитування:

Сичікова Я. О. Синтез епітаксіальних шарів нітриду індію на підкладці поруватого фосфіду індію / Я. О. Сичікова // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 3. - С. 03017-1-03017-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_3_19.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Сичікова Яна Олександрівна (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача