Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Yurchuk S. Yu. 
Simulation the Beta Power Sources Characteristics / S. Yu. Yurchuk, S. A. Legotin, V. N. Murashev, A. A. Krasnov, Yu. K. Omel’chenko, Yu. V. Osipov, S. I. Didenko, O. I. Rabinovich // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 3. - С. 03014-1-03014-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_3_16
In this paper the simulation of silicon beta-stimulated power sources spectral sensitivity characteristics was carried out. It was analyzed the influence of the semiconductor material characteristics (the doping level, lifetime) and power supply design on the photosensitive structures characteristics in order to optimize them.
  Повний текст PDF - 334.059 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Yurchuk S.
  • Legotin S.
  • Murashev V.
  • Krasnov A.
  • Omel’chenko Y.
  • Osipov Y.
  • Didenko S.
  • Rabinovich O.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Yurchuk S. Yu. Simulation the Beta Power Sources Characteristics / S. Yu. Yurchuk, S. A. Legotin, V. N. Murashev, A. A. Krasnov, Yu. K. Omel’chenko, Yu. V. Osipov, S. I. Didenko, O. I. Rabinovich // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 3. - С. 03014-1-03014-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_3_16.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського