Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Mani P. Surface Potential and Threshold Voltage Model of Fully Depleted Narrow Channel SOI MOSFET Using Analytical Solution of 3D Poisson’s Equation / P. Mani, M. K. Pandey // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02002-1-02002-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_4 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Mani P. Surface Potential and Threshold Voltage Model of Fully Depleted Narrow Channel SOI MOSFET Using Analytical Solution of 3D Poisson’s Equation / P. Mani, M. K. Pandey // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02002-1-02002-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_4. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |