Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of Al-GaN / GaN HEMT

Palash, Das; Dhrubes, Biswas


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics

Palash Das
Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of Al-GaN / GaN HEMT / Das Palash, Biswas Dhrubes // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01006-1-01006-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_8

Повний текст PDF - 307.813 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Palash D.

Dhrubes B.

Бібліографічний опис для цитування:

Palash Das Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of Al-GaN / GaN HEMT / Das Palash, Biswas Dhrubes // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01006-1-01006-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_8.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача