Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics


Mukhtarov A. P. 
Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method / A. P. Mukhtarov, A. B. Normurodov, N. T. Sulaymonov, F. T. Umarova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01012-1-01012-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_14
A recently developed non-conventional tight-binding method was applied in combination with molecular dynamics to compute the geometric structures and cohesion energies of small stable pure Si clusters containing from 3 to 8 atoms, in neutral, positive and negative charge states. The influence of the charge state on the cluster configuration and cohesion energy is considered. The Anderson U(-) effect is observed in Si3 - Si5 clusters. Doubly positively charged states are found to be the most energetically stable form for all clusters considered. The results computed with this semiempirical approach are compared to predictions from state-of-the-art ab initio methods.
  Повний текст PDF - 576.694 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Mukhtarov A.
  • Normurodov A.
  • Sulaymonov N.
  • Umarova F.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Mukhtarov A. P. Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method / A. P. Mukhtarov, A. B. Normurodov, N. T. Sulaymonov, F. T. Umarova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01012-1-01012-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_14.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського