Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Mukhtarov A. P. Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method / A. P. Mukhtarov, A. B. Normurodov, N. T. Sulaymonov, F. T. Umarova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01012-1-01012-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_14 A recently developed non-conventional tight-binding method was applied in combination with molecular dynamics to compute the geometric structures and cohesion energies of small stable pure Si clusters containing from 3 to 8 atoms, in neutral, positive and negative charge states. The influence of the charge state on the cluster configuration and cohesion energy is considered. The Anderson U(-) effect is observed in Si Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Mukhtarov A. P. Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method / A. P. Mukhtarov, A. B. Normurodov, N. T. Sulaymonov, F. T. Umarova // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01012-1-01012-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_14. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |