Murashev V. N. 
Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electrons on the Electrical Parameters of the IGBT-transistors / V. N. Murashev, M. P. Konovalov, S. A. Legotin, S. I. Didenko, O. I. Rabinovich, A. A. Krasnov, K. A. Кuzmina // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01011-1-01011-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_13
The results of studies of the effectiveness of the radiation method for control the characteristics of the IGBT transistors are shown. Experimental results on the effect of irradiation with high-energy electrons with an energy of 6 MeV for dynamic and static parameters of the IGBT transistors of company International Rectifier IRGB14C40L are discussed.
  Повний текст PDF - 162.617 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Murashev V.
  • Konovalov M.
  • Legotin S.
  • Didenko S.
  • Rabinovich O.
  • Krasnov A.
  • Кuzmina K.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Murashev V. N. Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electrons on the Electrical Parameters of the IGBT-transistors / V. N. Murashev, M. P. Konovalov, S. A. Legotin, S. I. Didenko, O. I. Rabinovich, A. A. Krasnov, K. A. Кuzmina // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01011-1-01011-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_13.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського