Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Raghu P. Influence of Electron Irradiation on Optical Properties of ZnSe Thin Films / P. Raghu, C. S. Naveen, K. Mrudula, Ganesh Sanjeev, J. Shailaja, H. M. Mahesh // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04007-1-04007-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_9 Zinc Selenide (ZnSe) thin films of 500 nm thickness were deposited by electron beam evaporation technique and irradiated with 8 MeV electron beam for the doses ranging from 0 Gy to 1 kGy. Optical properties were studied for both irradiated and pristine samples using Ultraviolet-Visible spectrophotometer. The increase in electron dose tends to decrease in transmittance and increase in refractive index of thin film. Irradiated thin film exhibits minimum of 67 % transmittance for 800 Gy with very high absorption of optical energy at 550 nm wavelength. The samples irradiated >> 800 Gy tends to redeem the pristine properties. Optical band gap for irradiated thin film were direct and in the range of 2,66 - 2,69 eV. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Raghu P. Influence of Electron Irradiation on Optical Properties of ZnSe Thin Films / P. Raghu, C. S. Naveen, K. Mrudula, Ganesh Sanjeev, J. Shailaja, H. M. Mahesh // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04007-1-04007-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_9. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |