Наукова періодика України Journal of Nano- and Electronic Physics

Kosushkin V. G. 
Gallium Arsenide Czokhralski Crystal Growth with High Oscillatory Influences / V. G. Kosushkin, S. L. Kozhitov, S. G. Emelyanov, Yu. N. Parkhomenko, L. V. Kozhitov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 3. - С. 03043-1-03043-2. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_3_45
The influence of ultrasound introduced into the melt during the growth of single crystals of gallium arsenide. Ultrasonic vibrations had a frequency of 820 kHz and amplitude of 0,1 - 0,2 micrometer. Found an increase in the homogeneity of impurity distribution of the bands growth without change of the dislocation structure of single crystals. In the simulation result of the ultrasonic wave interaction with the melt in the crucible on the basis of the theory of formation of phases is established that nucleation rate associated with the frequency and amplitude of the ultrasonic vibration acting on the melt.
  Повний текст PDF - 247.85 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Kosushkin V.
  • Kozhitov S.
  • Emelyanov S.
  • Parkhomenko Y.
  • Kozhitov L.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Kosushkin V. G. Gallium Arsenide Czokhralski Crystal Growth with High Oscillatory Influences / V. G. Kosushkin, S. L. Kozhitov, S. G. Emelyanov, Yu. N. Parkhomenko, L. V. Kozhitov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 3. - С. 03043-1-03043-2. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_3_45.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського