За допомогою методів скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій (СТМ, АСМ) та дифракції повільних електронів (ДПЕ) на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру поверхонь сколювання (ПС) (100) шаруватих кристалів (ШК) In4Se3, одержаних шляхом сколювання in situ. Одержані результати вказують на існування періодичної, гофрованої структури на ПС. Показано, що ПС (100) In4Se3 є структурно стабільними і не зазнають атомної реконструкції у широкому температурному діапазоні 77 - 295 K. Встановлено анізотропію теплового розширення ПС за основними кристалографічними напрямками у площині сколу (100) In4Se3. Проведено розрахунки значень сталих двовимірної гратки, що знаходяться у площині ПС (100) орторомбічних ШК In4Se3 за результатами ДПЕ (<$Eb~=~11,475~roman A back 45 up 35 symbol Р> та <$Ec~=~3,734~roman A back 45 up 35 symbol Р>) задовільно співпадають з результатами, одержаними за допомогою методів АСМ та СТМ (<$Eb~=~13~-~14~roman A back 45 up 35 symbol Р> та <$Ec~=~4~roman A back 45 up 35 symbol Р>) та знаходяться у межах похибки вказаних методик, співпадаючи із значеннями, одержаними за методом X-дифрактометрії (<$Eb~=~12,308(1)~roman A back 45 up 35 symbol Р> та <$Ec~=~4,0810(5) ~roman A back 4 5 up 35 symbol Р>). Одержані результати дослідження структури ПС вказують на коректність використання фільтрування зображень топограм, одержаних за допомогою методу СТМ та адекватність використаної моделі для розрахунку сталих поверхневої гратки ПС (100) In4Se3 за результатами ДПЕ.

  Повний текст PDF - 684.932 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"