Наукова періодика України | Journal of Nano- and Electronic Physics | ||
Mukherjee A. Modeling of Field Effect Mobility Using Grain Boundaries on Nanocrystalline Slicon Thin-Film Transistor (nc-Si TFT) / A. Mukherjee, P. Sharma, N. Gupta // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 4(2). - С. 04054-1-04054-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_4%282%29__10 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Mukherjee A. Modeling of Field Effect Mobility Using Grain Boundaries on Nanocrystalline Slicon Thin-Film Transistor (nc-Si TFT) / A. Mukherjee, P. Sharma, N. Gupta // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 4(2). - С. 04054-1-04054-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_4(2)__10. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |