Наведено результати досліджень оптичних та електрохімічних властивостей вказують на можливість інтеркаляції шаруватих кристалів GaSe іонами нікелю. Встановлено, що електрохімічне впровадження Ni призводить до монотонного збільшення електродного потенціалу шаруватого напівпровідника GaSe у разі досягнення концентрації інтеркалянту n_Ni = 10¹⁸ - 10²⁰ см^-3. Внаслідок інтеркаляції нікелем в кристалі GaSe за T = 293 K відбувається зростання енергетичного положення екситонного максимуму Eекс на 6 меВ (від 2,008 до 2,014 еВ) та суттєве збільшення напівширини екситонної смуги поглинання H на 5,2 меВ. За температури Т = 77 К виявлено немонотонні залежності енергетичного положення екситонного максимуму Е_екс від концентрації, у сполуках GaSe. Наведено залежності E_екс(n_Ni) для цих сполук впровадження пояснюються як результат конкуренції між впливами внутрішньошарових і міжшарових деформацій, які мають різні знаки деформаційного потенціалу.

  Повний текст PDF - 298.745 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"