Stress Topology within Silicon Single-Crystal Cantilever Beam

Kuzmenko, A. P.; Timakov, D. I; Abakumov, P. V.; Dobromyslov, M. B.; Odnodvorets, L. V.

Kuzmenko A. P.
Stress Topology within Silicon Single-Crystal Cantilever Beam / A. P. Kuzmenko, D. I Timakov, P. V. Abakumov, M. B. Dobromyslov, L. V. Odnodvorets // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(1). - С. 03024-1-03024-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3%281%29__26

Flexural elastic deformations of single-crystal silicon with microspectral Raman scattering are studied. The investigation results are given on nano-scaled sign-changing shifts of the main peak of the microspectral Raman scattering within the single-crystal silicon cantilever beam under influence of flexural stress. The maximum value of Raman shift characteristic of silicon peak equal to 518 cm^-1, when elasticity still remains, amounted to 8 cm^-1. The qualitative explanation of increase in strength of the cantilever beam due to its small thickness (2mu m) is provided, which is in accord with predictions of real-world physical parameters that were obtained in software environment SolidWorks with the module SimulationXpress.

Повний текст PDF - 373.833 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Kuzmenko A. P. Stress Topology within Silicon Single-Crystal Cantilever Beam / A. P. Kuzmenko, D. I Timakov, P. V. Abakumov, M. B. Dobromyslov, L. V. Odnodvorets // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(1). - С. 03024-1-03024-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(1)__26.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача


	Наукова періодика України		Journal of Nano- and Electronic Physics