Наведено результати досліджень впливу обробки поверхні кремнію на електричні та фотоелектричні властивості наноструктурованих гетеропереходів MoOx/n-Si. Наноструктуровані гетеропереходи MoOx/n-Si, створено шляхом нанесення тонких плівок оксиду молібдену (n-типу провідності) за допомогою методу реактивного магнетронного розпилення в універсальній вакуумній установці Leybold Heraeus L560 на наноструктуровані підкладки кремнію (n-типу провідності), які виготовляли шляхом хімічного травлення за участю наночасток срібла. Виміряні темнові та світлові вольтамперні характеристики (ВАХ) досліджуваних гетеропереходів, визначено значення висоти потенціального бар'єру, значення послідовного Rs і шунтуючого Rsh опорів за кімнатної температури. Встановлено, що обробка поверхні кремнію не впливає на висоту потенціального бар'єру, але суттєво впливає на величину послідовного Rs та шунтуючого Rsh опорів. Досліджено електричні та фотоелектричні властивості одержаних структур, домінуючі механізми струмопереносу через гетероструктури за прямого зміщення добре описуються в межах емісійно і рекомбінаційної та тунельної моделей за участю поверхневих станів. Основним механізмом переносу носіїв заряду через гетеропереходи за зворотного зміщення є емісія Френкеля - Пула. Дослідження фотоелектричних властивостей гетеропереходів MoOx/n-Si проводили за опромінення білим світлом інтенсивністю Popt = 80 мВт/см<^>2. Встановлено, що гетероструктура №5 MoOx/n-Si з вирощеними нанодротами і витравленими наночастками срібла має максимальну напругу холостого ходу Voc = 0,17 B, густину струму короткого замикання Isc = 10 мА/см<^>2. Проаналізовано можливості застосування одержаних гетероструктур як фотодіодів.

  Повний текст PDF - 1.91 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"