Приведены результаты теоретического и экспериментального исследования влияния заряженных микродефектов на локальное реверсирование в поляризованных сегнетоэлектриках. Даны схемы образования домена возле поверхности заряженного дефекта, приповерхностного распределения температуры, скорости реакции и концентрации растворенного вещества на поверхности сегнетоэлектрика в ходе зондового исследования. Выявлены изменения зависимости амплитуды от частоты волновых колебаний и изменение скорости реакции в окрестности микродефекта от неустойчивости колебаний, а также эволюция автоколебательного режима, устойчивого и неустойчивого режимов колебаний с учетом особенности тонкой структуры петель гистерезиса локального пьезоотклика, обусловленных близостью дефектов. Экспериментальная проверка показала, что при импульсном электрофизическом воздействии на образец сегнетоэлектрика энергии потребляется меньше, но эффект оказывается выше.

  Повний текст PDF - 761.49 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"