| Наукова періодика України |
| Доповіді Національної академії наук України |
Цибрій З. Ф. Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / З. Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. - 2019. - № 9. - С. 34-. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2019_9_6 Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію металів (адгезивний шар - струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольтамперні характеристики контактів Mo - Au і Mo - In до епітаксійних шарів p-CdHgTe демонструють лінійний характер як при кімнатній температурі, так і при T = 80 K. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Цибрій З. Ф. Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / З. Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. - 2019. - № 9. - С. 34-. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2019_9_6.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
