До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉

Гайдар, Г. П.


	Наукова періодика України		Доповіді Національної академії наук України

Гайдар Г. П.
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2019. - № 5. - С. 67-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2019_5_10

У межах теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які надають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект є незначним, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект є значним за величиною.

Повний текст PDF - 310.063 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Гайдар Г.

Бібліографічний опис для цитування:

Гайдар Г. П. До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2019. - № 5. - С. 67-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2019_5_10.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача