| Наукова періодика України |
| Доповіді Національної академії наук України |
Прохоров Э. Д. Эффективность генерации планарных диодов n+−n−n+ c туннельными границами / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 3. - С. 82-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2014_3_15 Рассмотрены диоды <$E n sup +~-~n~-~n sup +> с туннельными (ТБГ) или резонансно-туннельными (РТБГ) боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конечной протяженности. Исследованы вольтамперные и энергетические характеристики таких диодов в широком диапазоне частот мм-диапазона. Показано, что диоды <$E n sup +~-~n~-~n sup +> с ТБГ или РТБГ обладают отрицательной дифференциальной проводимостью в широком диапазоне частот мм-диапазона и могут быть использованы для генерации и усиления. Продемонтрировано, как влияет местоположение и протяженность боковых границ на энергетические и частотные характеристики диода. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Прохоров Э. Д. Эффективность генерации планарных диодов n+−n−n+ c туннельными границами / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 3. - С. 82-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2014_3_15.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
