Зазначено, що сучасні методи комп'ютерного моделювання надають змогу розрахувати енергії утворення різноманітних дефектів гратки та досліджувати вплив на них зовнішніх факторів. Застосовано метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фосфіду галію: порогової енергії утворення дефекту <$E E sub d>, енергії утворення вакансії, дивакансії, вакансійних пустот, атомів проникнення та антиструктурних дефектів. Одночасно з експериментальних даних, одержаних на опромінених електронами кристалах GaP, визначено величини порогових енергій зміщення атомів Ga та P: за зміною початкової швидкості видалення носіїв <$E (dn "/" d PHI ) sub {PHI symbol О 0}> і падінням інтенсивності випромінювання зв'язаного екситону. Одержані значення <$E E sub d> корелюють із даними комп'ютерного моделювання.

  Повний текст PDF - 253.178 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"