Досліджено вплив швидких нейтронів на зразки світловипромінювальних діодних структур <$E n sup + -n-p-{roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman {As "/" GaAs}> (<$E x~=~0,27~symbol Ш~0,31>). Вольт-амперні характеристики виміряно в інтервалі температур 77 - 300 K до та після опромінення нейтронами з флюенсом <$E (10 sup 14~-~5~cdot~10 sup 16 )> см<^>-2. Установлено, що відбувається радіаційно стимульоване зростання прямого струму діодів внаслідок зменшення концентрації основних носіїв заряду та часу життя неосновних носіїв заряду. Причиною зміни параметрів є радіаційне введення пасток.

  Повний текст PDF - 422.689 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"