Гусев Ю. А.
Тензорезисторы с антишунтирующим экраном / Ю. А. Гусев, Е. А. Кононыхин, К. Кахраи // Авиационно-космическая техника и технология. - 2013. - № 7. - С. 107–111. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/aktit_2013_7_21
Уменьшение электроизоляционных свойств связующего тензорезистора регистрирующей аппаратурой воспринимается как кажущаяся деформация. Для уменьшения токов утечки в слое связующего между ЧЭ тензорезистора и поверхностью детали вводится экран, совпадающий по конфигурации с ЧЭ тензорезистора. Рассмотрены конструктивные особенности тензорезисторов с антишунтирующим экраном; схемы их включения в измерительные цепи; проведен анализ процесса шунтирования ЧЭ тензорезистора, с использованием аналитического метода; представлены формулы изменения сопротивления ЧЭ при его шунтировании, а также конечно-элементная модель (МКЭ) тензорезистора при различных значениях электросопротивления связующего; получены поля распределения токов утечки. Представлены результаты экспериментальной проверки явления шунтирования высокотемпературного тензорезистора и их соответствие с теоретическими исследованиями.
Цитованість авторів публікації:Гусев Ю.Кононыхин Е.
Кахраи К.
Бібліографічний опис для цитування:
Гусев Ю. А. Тензорезисторы с антишунтирующим экраном / Ю. А. Гусев, Е. А. Кононыхин, К. Кахраи // Авиационно-космическая техника и технология. - 2013. - № 7. - С. 107–111. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/aktit_2013_7_21.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити
"Анкету науковця"
|