Розглянуто особливості технології формування надвисокочастотних (НВЧ) GaAs структур і проведено комплекс досліджень для створення серійної технології структур великих інтегральних схем (ВІС), в тому числі НВЧ на епітаксійних шарах GaAs, осаджених на монокремнієвих підкладках. Досліджено умови формування двомірного електронного газу в гетероструктурах із визначенням рухливості електронів залежно від орієнтації поверхні. Для гетеростуктур на поверхні напівізольованої GaAs-підкладки, розорієнтованої від площини (100) на кут 6 - 10<^>o із вмістом кисню на вихідній поверхні C0 = 10 - 50 % по відношенню до піку галію Оже-спектра, виявлено сильну анізотропію рухливості за рахунок збільшення кута розорієнтації та неповного відпалу вуглецю з вихідної поверхні GaAs-підкладки. Для осадження шарів арсеніду галію на монокремнієвих підкладках застосовано епітаксійну технологію, яка надає можливість значно підвищити чистоту отриманого матеріалу, а саме суттєво понизити рівень ізоконцентраційних домішок кисню і вуглецю, які сильно впливають на зарядовий стан міжфазної межі. Для формування конструктивних шарів на GaAs розроблено та досліджено технологію формування нітридних шарів Si3N4, AlN, BN магнетронним методом за низьких температур підкладки та заданою стехіометрією. Суміщення арсенід галієвої епітаксійної технології на монокремнієвих підкладках реально стало можливим тільки у процесі розробки технології магнетронного осадження буферних шарів германію. Розроблено технологію формування логічних елементів НЕ, АБО-НЕ, І-НЕ високої швидкодії з низькою пороговою напругою, яка надає можливість будувати високошвидкісні мікросхеми комбінаційного та послідовних типів на комплементарних структурах.

  Повний текст PDF - 969.447 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"