Наукова періодика України | Eastern-European journal of enterprise technologies | ||
Luniov S. Specific features of defect formation in the n-Si <Ρ> single crystals at electron irradiation / S. Luniov, A. Zimych, M. Khvyshchun, M. Yevsiuk, V. Maslyuk // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 6(12). - С. 35-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_6%2812%29__6 На підставі вимірювань інфрачервоної Фур'є-спектроскопії, ефекту Холла та тензохолл-ефекту встановлено природу та визначено концентрацію основних типів радіаційних дефектів у монокристалах n-Si < >, опромінених різними потоками електронів з енергією 12 МеВ. Показано, що для досліджуваних монокристалів кремнію у процесі електронного опроміненя є досить ефективним утворення нового типу радіаційних дефектів, що належать комплексам VOiP (А-центр, модифікований домішкою фосфору). З розв'язків рівняння електронейтральності отримано залежності енергії активації для глибокого рівня E1 = EC - 0,107 еВ, що належить комплексу VOiP, від одновісного тиску вздовж кристалографічних напрямків [100] і [111]. За допомогою методу найменших квадратів одержано апроксимаційні поліноми для розрахунку даних залежностей. За орієнтації осі деформації вздовж кристалографічного напрямку [100] глибокий рівень E1 = EC - 0,107 еВ буде розщеплюватись на дві компоненти з різною енергією активації. Це пояснює нелінійні залежності енергії активації глибокого рівня E1 = EC - 0,107 еВ від одновісного тиску P <<= 0,4 ГПа. Для тисків P >> 0,4 ГПа розщеплення даного глибокого рівня буде значним і можна вважати, що глибокий рівень комплексу VOiP взаємодіятиме тільки з двома мінімумами зони провідності кремнію, а зміна енергії активації буде лінійною за деформацією. Для випадку одновісного тиску P <<= 0,4 ГПа вздовж кристалографічного напрямку [111] зміна енергії активації для комплексу VOiP описується квадратичною залежністю. Відповідно зміщення глибокого рівня E1 = EC - 0,107 еВ для даного випадку теж є квадратичною функцією за деформацією. Різні залежності енергії активації комплексу VOiP від орієнтації осі деформації відносно різних кристалографічних напрямків можуть свідчити про анізотропні характеристики даного дефекту. Встановленні особливості дефектоутворення в опромінених електронами монокристалах n-Si < > можуть бути використані у процесі розробки на основі даних монокристалів різних приладів функціональної електроніки. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Luniov S. Specific features of defect formation in the n-Si <Ρ> single crystals at electron irradiation / S. Luniov, A. Zimych, M. Khvyshchun, M. Yevsiuk, V. Maslyuk // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 6(12). - С. 35-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_6(12)__6.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |