Наукова періодика України Eastern-European journal of enterprise technologies


Fyk O. 
Analysis of the technology to manufacture a high-temperature microstrip superconductive device for the electromagnetic protection of receivers / O. Fyk, D. Kucher, L. Kucher, R. Gonchar, V. Antonets, M. Fyk, Yu. Besedin // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 5(12). - С. 38-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_5%2812%29__6
Встановлено технологічні особливості процесу виготовлення швидкодійного високотемпературного надпровідного мікрополоскового захисного пристрою, який здатен за пікосекундний проміжок часу (час переключення або швидкодійність) обмежити потужність, що проходить скрізь нього з антенно-фідерного тракту до безпечного рівня для чутливих напівпровідникових елементів приймача (запобігання струменевого руйнування p - n переходу). Дослідження надають можливість визначити особливості та умови використання сучасних технологічних методів щодо створення надпровідного мікрополоскового захисного пристрою з урахуванням впливу матеріалу підкладки, надпровідника, контактів і методу їх з'єднання на перемикаючі властивості надпровідних плівок захисного пристрою. До перемикаючих властивостей надпровідних плівок відноситься швидкість фазового переходу з надпровідного в непроводящее стан. Для визначення ступеню впливу матеріалу на перемикаючі властивості пропонується використати: параметр кристалічної решітки, коефіцієнт теплового розширення матеріалів, ступінь взаємодії молекулярних структур контактуючих поверхонь, ймовірність виникнення локальних дефектів на поверхні (зон непровідності). Окреслено основні умови способи нанесення плівки, нанесення визначеної надпровідної плівки (YBCO) на обрану підкладку, які слід виконувати для створення працездатного захисного пристрою.. Результати роботи надають можливість оцінити ступінь впливу матеріалів контактів, методу нанесення на мікроструктуру (як плівку на підкладку, так і контактів на плівку) на перемикаючі властивості захисного надпровідникового захисного пристрою. Такі результати можуть бути використані у процесі синтезу високотемпературних надпровідних швидкодіючих пристроїв захисту елементів приймачів від токового руйнування p - n переходів.
  Повний текст PDF - 463.665 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Fyk O.
  • Kucher D.
  • Kucher L.
  • Gonchar R.
  • Antonets V.
  • Fyk M.
  • Besedin Y.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Fyk O. Analysis of the technology to manufacture a high-temperature microstrip superconductive device for the electromagnetic protection of receivers / O. Fyk, D. Kucher, L. Kucher, R. Gonchar, V. Antonets, M. Fyk, Yu. Besedin // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 5(12). - С. 38-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_5(12)__6.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського