Для можливості формування наноструктурованих шарів на поверхні напівпровідників із регульованими властивостями розроблено морфологічний критерій якості. Отримано шари низькопоруватого фосфіду індію з мезопоруватою структурою. Поруваті шари формувалися методом електрохімічного травлення у розчині соляної кислоти за постійної щільності струму. За розробленим критерієм проаналізовано якість синтезованих зразків por-InP. Це надасть можливість виготовляти структури з поруватими шарами на поверхні у промислових масштабах. Наведений критерій може бути застосованим для інших режимів обробки фосфіду індію, або для інших напівпровідників. Це надає можливість розглядати його як універсальний морфологічний критерій якості поруватих структур. Встановлено кореляцію між морфологічними властивостями поруватих структур на поверхні фосфіду індію та умовами травлення. Для цього проаналізовано поруваті структури, які формувалися у інтервалі часу травлення від 10 до 20 хв за різної концентрації кислоти у електроліті. У результаті встановлено, що форма пор наноструктурованих шарів на поверхні напівпровідників залежить не лише від параметрів кристалу, а й від умов травлення, зокрема від часу травлення та складу електроліту. Застосування насичених електролітів призводить до формування масивних пор, які мають форму канавок - витягнуті еліпси. Отримані кореляції є корисними з практичної точки зору, тому що надають можливість обгрунтовано підходити до визначення режимів електрохімічної обробки напівпровідників. Крім того, це відкриває нові перспективи у побудові моделі самоорганізації поруватої структури на поверхні напівпровідників. Запропоновано методику розрахунку основних статистичних характеристик ряду розподілу пор за розміром, зокрема розмах варіації, дисперсія, середньоквадратичне відхилення, коефіцієнти варіації та асиметрії. Це надає можливість більш детально оцінювати морфологічні показники поруватих структур і просунутися у розумінні механізмів, що лежать в основі пороутворення на поверхні напівпровідників під час електрохімічної обробки.

  Повний текст PDF - 677.588 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"